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FSB50660SFS

智能功率模塊,600V,6A; ?UL 認(rèn)證號(hào) E209204 (UL1557)\n?600 V RDS(on)=700 mΩ(最大值)SuperFET MOSFET 三相變頻器,帶有柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能\n?內(nèi)置自舉二極管能夠簡(jiǎn)化 PCB 布局\n?低側(cè) MOSFET 的獨(dú)立開(kāi)源引腳用于三相電流檢測(cè)\n?高電平有效接口,適用于 3.3 / 5 V 邏輯、施密特觸發(fā)脈沖輸入\n?針對(duì)低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化\n?HVIC 內(nèi)嵌溫度感測(cè)功能,用于監(jiān)控溫度\n?HVIC 可實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)和欠壓保護(hù)\n?隔離額定值: 1500 Vrms/分\n?濕度敏感等級(jí)(MSL) 3\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

FSB50660SFS 是一款先進(jìn)的 Motion SPM? 5 模塊,為交流感應(yīng)、BLDC 和 PMSM 電機(jī)(如電冰箱、風(fēng)扇和泵)提供功能齊全的高性能變頻輸出級(jí)。 這些模塊集成了經(jīng)優(yōu)化且內(nèi)置 MOSFET(SuperFET?技術(shù))的柵極驅(qū)動(dòng),從而最大限度地降低 EMI 和損耗,同時(shí)提供多種模塊化保護(hù)特性,包括欠壓鎖定和熱監(jiān)控。 內(nèi)置高速 HVIC 僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號(hào),從而有效驅(qū)動(dòng)模塊的內(nèi)部 MOSFET。 獨(dú)立開(kāi)源 MOSFET 引腳適用于各相位,以支持最廣泛的控制算法。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FSB50660SFS

Motion SPMR 5 SuperFETR Series

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FSB50660SFS

Motion SPM 5 SuperFET Series

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FSB50660SFS

Package:23-PowerSMD 模塊,鷗翼;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動(dòng)器模塊 描述:MODULE SPM 600V 3.1A 23PWRSMD

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FSB50660SFS

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 系列:

    Motion SPM? 5 SuperFET?

  • 包裝:

    散裝

  • 類型:

    MOSFET

  • 配置:

    3 相

  • 電壓 - 隔離:

    1500Vrms

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    23-PowerSMD 模塊,鷗翼

  • 描述:

    MODULE SPM 600V 3.1A 23PWRSMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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