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FSB50325A

智能功率模塊，250V，3A

FSB50325A 是先進(jìn) Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品，基于快速恢復(fù) MOSFET（FRFET?）技術(shù)，用作小功率電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用（如風(fēng)扇和泵）的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50325A包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管，在一個緊湊型封裝中完全隔離并進(jìn)行優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)熱性能。 FSB50325A通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾（EMI）特性。 由于使用MOSFET作為電源開關(guān)，F(xiàn)SB50325A比IGBT功率模塊具有強(qiáng)得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)（SOA）。 FSB50325A是用于裝配空間受到限制的緊湊型可靠; ?250V RDS(on)=1.7Ω(最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器，包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨(dú)立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護(hù)\n?高電平有效接口，可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

FSB50325A

Motion SPMR 5 Series

FSB50325A

Motion SPM 5 Series Version 2 User?? Guide

FSB50325A

Smart Power Module (SPM?)

FSB50325A

絲?。?strong>FSB50325A；Package：SPM5P-023；Motion SPM 5 Series

FSB50325A

Package：23-PowerDIP 模塊（0.573"，14.56mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述：MODULE SPM 500V 1.2A SPM5P

FSB50325AS

Motion SPM? 5 系列

FSB50325A/AT/AS 是一款先進(jìn)的 Motion SPM? 5 模塊，為交流感應(yīng)、無刷直流電機(jī)和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能變頻輸出級。 這些模塊綜合優(yōu)化了內(nèi)置 MOSFET（FRFET? 技術(shù)）的柵極驅(qū)動以最小化電磁干擾和能量損耗，同時也提供多重模組保護(hù)特性，包括欠壓閉鎖和熱量監(jiān)測。 內(nèi)置高速 HVIC 僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動信號，從而有效驅(qū)動模塊的內(nèi)部 MOSFET。 獨(dú)立開源 MOSFET 引腳適用于各相位，以支持最廣泛的控制算法。; ?UL 認(rèn)證號 E209204 (UL1557)\n?250 V RDS(on) = 1.7 Ω（最大值）FRFET MOSFET 三相逆變器，帶有柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能\n?內(nèi)置自舉二極管能夠簡化 PCB 布局\n?低側(cè) MOSFET 的獨(dú)立開源引腳用于三相電流感測\n?高電平有效接口，適用于 3.3 / 5 V 邏輯、施密特觸發(fā)脈沖輸入\n?針對低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化\n?HVIC 內(nèi)嵌溫度感測功能，用于監(jiān)控溫度\n?HVIC 可實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護(hù)\n?絕緣等級： 1500 Vrms/分\n?濕度敏感等級 (MSL) 3 - FSB50325AS\n;

FSB50325AT

Motion SPM? 5 系列

FSB50325AT 是先進(jìn) Motion SPM? 5系列產(chǎn)品，基于快速恢復(fù) MOSFET（FRFET?）技術(shù)，用作小功率電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用（如風(fēng)扇和泵）的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50325AT 包含六個 FRFET MOSFET 產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器 HVIC 及三個自舉二極管，在一個緊湊型封裝中完全隔離并進(jìn)行優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)熱性能。 FSB50325AT 通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾（EMI）特性。 由于使用 MOSFET 作為電源開關(guān)，F(xiàn)SB50325AT 比 IGBT 功率模塊具有強(qiáng)得多的耐用性和更大的安全工作區(qū) (SOA)。 FSB50325A 是; ?250V RDS(on)=1.7?(最大值) FRFET?MOSFET 三相逆變器，包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨(dú)立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護(hù)\n?高電平有效接口，可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n;

FSB50325A_14

Motion SPMR 5 Series

FSB50325AS

Motion SPMR 5 Series