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FS75R12W2T4_B11分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FS75R12W2T4_B11 |
| 參數(shù)屬性 | FS75R12W2T4_B11 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：LOW POWER EASY |
| 功能描述 | EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode |
| 文件大小 |
432.7 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 11:02:00 |
| 人工找貨 | FS75R12W2T4_B11價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FS75R12W2T4_B11規(guī)格書詳情
FS75R12W2T4_B11屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS75R12W2T4_B11晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FS75R12W2T4PB11BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- 描述：
LOW POWER EASY
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
30000 |
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INFINEON/英飛凌 |
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