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FS75R12KE3_B3數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
FS75R12KE3_B3 |
| 參數(shù)屬性 | FS75R12KE3_B3 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 100A 355W |
| 功能描述 | IGBT FS75R12KE3B3NOSA1 |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 23:00:00 |
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簡介
FS75R12KE3_B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FS75R12KE3_B3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：FS75R12KE3_B3
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 配置
：三相反相器
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
：1200V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
：100A
- 功率 - 最大值
：355W
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
：2.15V @ 15V，75A
- 電流 - 集電極截止（最大值）
：5mA
- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
：5.3nF @ 25V
- 輸入
：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻
：是
- 工作溫度
：150°C（TJ）
- 安裝類型
：底座安裝
- 封裝/外殼
：模塊
- 供應(yīng)商器件封裝
：模塊
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
AGECONO26 |
7350 |
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詢價 | ||
INFINEON |
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詢價 | ||
EUPEC |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
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詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
AG-ECONO2-6 |
6820 |
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Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-ECONO2-6 |
12700 |
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詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
AG-ECONO2-6 |
30000 |
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INF |
2018+ |
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詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
AG-ECONO2-6 |
6000 |
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詢價 | ||
EUPEC/歐派克 |
12+ |
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詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
