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FS35R12KT3數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

FS35R12KT3

參數(shù)屬性

FS35R12KT3 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311

功能描述

1200 V、35 A 六組 IGBT 模塊
LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-16 13:10:00

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FS35R12KT3規(guī)格書詳情

描述 Description

EconoPACK? 2 1200V sixpack IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled HE diode and NTC

特性 Features

? High power density
? Established Econo module concept
? Integrated temperature sensor available
? Low stray inductance module design
? RoHS-compliant modules

優(yōu)勢:
? Compact module concept
? Optimized customer’s development cycle time and cost
? Configuration flexibility

簡介

FS35R12KT3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FS35R12KT3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FS35R12KT3

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Sixpack

  • Technology

    :IGBT3 - T3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :35 A

  • OPN

    :FS35R12KT3BOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoPACK? 2

  • Dimensions length

    :107.5 mm

  • Dimensions width

    :45 mm

  • Package name

    :AG-ECONO2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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