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FS200R07N3E4R數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

FS200R07N3E4R

參數(shù)屬性

FS200R07N3E4R 封裝/外殼為模塊;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 650V 200A 600W

功能描述

IGBT模塊
IGBT MOD 650V 200A 600W

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-24 11:01:00

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FS200R07N3E4R規(guī)格書詳情

描述 Description

EconoPACK? 3 650 V, 200 A sixpack IGBT module with low sat and fast TRENCHSTOP? IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode and NTC.?Also available as variation with PressFIT mounting technology:?FS200R07N3E4R_B11.

特性 Features

? Increased blocking voltage capability to 650 V
? High short circuit capability
? Self limiting short circuit current
? Tvj op = 150°C
? Integrated NTC temperature sensor
? Solder Contact Technology
? Copper base plate
? Standard housing

優(yōu)勢:
? Compact module concept
? Optimized customer’s development cycle time and cost
? Configuration flexibility

簡介

FS200R07N3E4R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FS200R07N3E4R晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FS200R07N3E4R

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :650 V

  • Configuration

    :Sixpack

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :200 A

  • OPN

    :FS200R07N3E4RBOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.55 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.55 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoPACK? 3

  • Dimensions length

    :122 mm

  • Dimensions width

    :62 mm

  • Package name

    :AG-ECONO3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
2447
AG-ECONO3-4
315000
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Infineon(英飛凌)
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