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FQU2N60C中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQU2N60C
廠商型號

FQU2N60C

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 1.9 A, 4.7 廓

文件大小

979.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-8 23:01:00

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FQU2N60C規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using ON Semiconductor’s proprietary planar

stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET

technology has been especially tailored to reduce on-state

resistance, and to provide superior switching performance

and high avalanche energy strength. These devices are

suitable for switched mode power supplies, active power

factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

? 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A

? Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)

? Low Crss (Typ. 4.3 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQU2N60C

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    600V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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