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FQU13N10

100V N-Channel MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU13N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQU13N10

N-Channel QFET MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU13N10L

100V LOGIC N-Channel MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU13N10L

N-Channel QFET MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU13N10L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQU13N10L

功率 MOSFET，N 溝道，邏輯電平，QFET?，100 V，10 A，180 mΩ，IPAK; ?10A, 100V, RDS(on)= 180mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5A柵極電荷低（典型值：9.5nC)\n?低 Crss（典型值35pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n? 100% Avalanche Tested\n? Low Level Gate Drive Requirement Allowing Direct Operation From Logic Drivers\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)電源應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQU13N10LTU

N-Channel QFET MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU13N10_09

100V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU13N10L

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    100

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    2

  • ID Max (A)：

    10

  • PD Max (W)：

    40

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    200

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    180

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    8.7

  • Ciss Typ (pF)：

    400

  • Package Type：

    IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
仙童
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多FQU13N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:26:00

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