FQU12N20中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
FQU12N20 |
| 功能描述 | N-Channel QFET MOSFET 200 V, 9 A, 280 m |
| 文件大小 |
862.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 9:43:00 |
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FQU12N20規(guī)格書詳情
描述 Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
特性 Features
? 9 A, 200 V, RDS(on) = 280 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.5 A
? Low Gate Charge (Typ. 18 nC)
? Low Crss (Typ. 18 pF)
? 100 Avalanche Tested
? RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
- 型號：
FQU12N20
- 功能描述：
MOSFET 200V N-Channel QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
05+ |
TO-251 |
5649 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-251 |
150 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
Fairchild(飛兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
I-Pak(TO-251-3) |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
05+ |
TO-251 |
5651 |
詢價(jià) | |||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-251 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
I-PAKTO-251 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
仙童 |
06+ |
TO-251 |
5000 |
原裝庫存 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
I-PAKTO-251 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) |
