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FQPF6N90

900V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF6N90

900V N-Channel MOSFET;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQPF6N90C

功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，6 A，2.3 ?，TO-220F; ?6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A柵極電荷低（典型值：30nC)\n?低 Crss（典型值11pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% avalanche tested\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQPF6N90C

900V N-Channel MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF6N90C

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainCurrentID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max) ·100AvalancheTested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeedswi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQPF6N90C

N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 6.0 A, 2.3 廓

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF6N90CT

N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 6.0 A, 2.3 廓

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    900

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    6

  • PD Max (W)：

    56

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    2300

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    30

  • Ciss Typ (pF)：

    1360

  • Package Type：

    TO-220-3 FullPak

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童全新現(xiàn)貨FQPF6N90即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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更多FQPF6N90供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:14:00

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