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FQPF5N60C數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

FQPF5N60C

功能描述

功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,600 V,4.5 A,2.5 ?,TO-220F

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-6 18:01:00

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FQPF5N60C規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

此類 N 溝道 MOSFET 增強(qiáng)型電場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用 Fairchild 的平面條紋 DMOS 專屬技術(shù)生產(chǎn)的。此先進(jìn)技術(shù)特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,可承受雪崩和換相模式下的高能量脈沖。此類器件非常適用于高效開(kāi)關(guān)模式電源、功率系數(shù)校正、基于半橋的電子燈鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?4.5A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10V
?Low gate charge (typical 15 nC)
?Low Crss (typical 6.5 pF)
?Fast switching
?100% avalanche tested
?Improved dv/dt capability

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    FQPF5N60C

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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