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FQPF4N60中文資料TGS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQPF4N60
廠商型號

FQPF4N60

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

36.43 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

TGS

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-7 20:26:00

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FQPF4N60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using proprietary, planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQPF4N60

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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