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I2N60

2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

I2N60

2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

I2N60

N-ChannelPowerMOSFET

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FQPF2N60C

  • 功能描述：

    MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FQPF2N60C供應商 更新時間2025-7-21 18:34:00

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