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FQPF1N60T中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQPF1N60T
廠商型號

FQPF1N60T

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

548.52 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-7 23:00:00

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FQPF1N60T規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

特性 Features

? 0.9A, 600V, RDS(on) = 11.5? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 5.0 nC)

? Low Crss ( typical 3.0 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQPF1N60T

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH/600V/1A/QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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