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FQPF12N60C中文資料功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，600 V，12 A，650 m?，TO-220F數(shù)據(jù)手冊ONSEMI規(guī)格書
FQPF12N60C規(guī)格書詳情
描述 Description
此類 N 溝道 MOSFET 增強型電場效應晶體管是使用安森美半導體的平面條紋 DMOS 專屬技術生產的。此先進技術特別適用于最大程度降低導通電阻，提供出色的開關性能，可承受雪崩和換相模式下的高能量脈沖。這些器件非常適用于高效開關模式電源、功率因數(shù)校正、基于半橋的電子燈鎮(zhèn)流器。
特性 Features
?12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
?低柵極電荷（典型值 48 nC)
?低 Crss（典型值 21 pF)
?100% 經過雪崩擊穿測試
技術參數(shù)
- 型號：
FQPF12N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
20540 |
保證進口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
15000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新現(xiàn)貨FQPF12N60C即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220F(TO-220IS) |
8080 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
FSC |
17+ |
TO220 |
9888 |
只做原裝,現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220F |
299 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
Freescale(飛思卡爾) |
24+ |
32000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價出售,實單可談 |
詢價 | |||
ON |
25+ |
TO-220F |
1000 |
原廠原裝,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 |
