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FQP3N60C中文資料仙童半導體數據手冊PDF規(guī)格書

FQP3N60C
廠商型號

FQP3N60C

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

738.4 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-6 20:00:00

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FQP3N60C規(guī)格書詳情

描述 Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

特性 Features

? 3A, 600V, RDS(on) = 3.4? @VGS = 10 V

? Low gate charge (typical 10.5 nC)

? Low Crss (typical 5 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產品屬性

  • 型號:

    FQP3N60C

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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