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FQP2N60C中文資料仙童半導體數據手冊PDF規(guī)格書

FQP2N60C
廠商型號

FQP2N60C

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 2 A, 4.7 Ω

文件大小

1.42482 Mbytes

頁面數量

10

生產廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-5 18:46:00

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FQP2N60C規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar

stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET

technology has been especially tailored to reduce on-state

resistance, and to provide superior switching performance

and high avalanche energy strength. These devices are

suitable for switched mode power supplies, active power

factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

? 2 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,

ID = 1 A

? Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)

? Low Crss (Typ. 4.3 pF)

? 100 Avalanche Tested

產品屬性

  • 型號:

    FQP2N60C

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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