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MTD6N15I

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD6N15

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD6N15

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SSM6N15AFE

LoadSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N15AFU

LoadSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N15FE

HighSpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N15FU

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications ?Smallpackage ?LowONresistance:Ron=4.0?(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0?(max)(@VGS=2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N15FU

DualN-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

T6N15CA

Surface-MountPAR?TransientVoltageSuppressors

FEATURES ?Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm ?LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) ?Idealforautomatedplacement ?Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology ?TJ=18

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

T6N15CA

Surface-MountPAR?TransientVoltageSuppressors

FEATURES ?Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm ?LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) ?Idealforautomatedplacement ?Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology ?TJ=18

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FQI6N15

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH/150V/6.3A/0.65OHM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
仙童
05+
TO-262
2500
原裝進(jìn)口
 詢價
FAIRCHILD
24+
TO-262
8866
詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-262
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
FAIRCHILD
2023+環(huán)保現(xiàn)貨
TO-262(I2PAK
20000
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)
 詢價
FAIRC
23+
TO-262(I2PAK)
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
FAIRC
23+
TO-262(I2PAK)
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
I2-PAKTO-262
24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
I2-PAKTO-262
30000
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可13點增值稅
 詢價
Fairchild/ON
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多FQI6N15供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 9:17:00

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