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FQI5N60

600V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI5N60C

600V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI5N60C

N 溝道 QFET? MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω; ?4.5 A、600 V、RDS(on)= 2.5 Ω(最大值),需 VGS = 10 V、ID = 2.25 A柵極電荷低(典型值:15nC)\n?低 Crss(典型值6.5pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% avalanche tested\n;

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及電子鎮(zhèn)流器。.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FQI5N60C

N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 4.5 A, 2.5 廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI5N60CTU

N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 4.5 A, 2.5 廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    4.5

  • PD Max (W):

    100

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2500

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    15

  • Ciss Typ (pF):

    515

  • Package Type:

    I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD
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FAIRCHILD/仙童
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更多FQI5N60供應商 更新時間2025-7-30 11:14:00