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FQI4N80中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQI4N80
廠商型號(hào)

FQI4N80

功能描述

800V N-Channel MOSFET

文件大小

659.85 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 23:01:00

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FQI4N80規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

? 3.9 A, 800 V, RDS(on) = 3.6 ? (Max.) @VGS = 10 V, ID = 1.95 A

? Low Gate Charge (Typ. 19 nC)

? Low Crss (Typ. 8.6 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQI4N80

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    800V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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I2PAK(TO262)
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FAIRCHILD
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