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FQI13N50C中文資料N 溝道 QFET? MOSFET 500V,13A,480m?數據手冊ONSEMI規(guī)格書

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廠商型號

FQI13N50C

功能描述

N 溝道 QFET? MOSFET 500V,13A,480m?

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

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更新時間

2025-9-11 16:40:00

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FQI13N50C規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術生產。這種先進的 MOSFET 技術已專門定制用來降低導通電阻,并提供卓越的開關性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關電源、有源功率因數校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?13A, 500V, RDS(on)= 480mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 6.5A柵極電荷低(典型值:43nC)
?低 Crss(典型值20pF)
?100% 經過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標準
?RoHS compliant

應用 Application

? 臺式計算機
? AC-DC商用電源-臺式計算機

技術參數

  • 制造商編號

    :FQI13N50C

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :13

  • PD Max (W)

    :195

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :480

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :43

  • Ciss Typ (pF)

    :1580

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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