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FQD8P10TM_F085

-100V，-6.6A，530mΩ，DPAK，P 溝道 QFET?; ?6.6 A、-100 V、RDS(on) = 0.53O (VGS = -10 V)\n?低柵極電荷（典型值12 nC）\n?低Crss（典型值30pF）\n?快速開關(guān)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 性能\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

這些 P 溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的平面條形 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這一先進(jìn)技術(shù)是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，以及在雪崩擊穿和換相情況下承受高能量脈沖而開發(fā)的。這些器件非常適合音頻放大器、高效開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器以及DC電機(jī)控制等低壓應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQD8P10TM_F085

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ap15p10dxxxyyyy/marking.html">AP15P10DXXXYYYY；Package：TO-252；-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

FQD8P10TM-F085

100V P-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseP-Channelenhancementmodepowerfieldeffect transistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KSMD8P10TM_F085

100VP-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • AEC Qualified：

    A

  • PPAP Capablee：

    P

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -100

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    -4

  • ID Max (A)：

    -6.6

  • PD Max (W)：

    44

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    530

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    12

  • Ciss Typ (pF)：

    360

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Fairchild/ON
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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ON SEMICONDUCTOR
22+
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進(jìn)口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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更多FQD8P10TM_F085供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:16:00

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