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FQD3N60CTM-WS數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FQD3N60CTM-WS

功能描述

功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,600 V,2.4 A,3.4 ?,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 23:01:00

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FQD3N60CTM-WS規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?2.4A, 600V, RDS(on)= 3.4Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.2A柵極電荷低(典型值:10.5nC)
?低 Crss(典型值5pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?100% avalanche tested

應用 Application

? 照明

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FQD3N60CTM-WS

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :2.4

  • PD Max (W)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3400

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10.5

  • Ciss Typ (pF)

    :435

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
1988
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
FAIRCHILD
0307+
TO-252
1988
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-252
1988
原裝正品,假一罰十!
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
ON/安森美
25+
25000
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
詢價
ON(安森美)
23+
DPAK-3
11951
公司只做原裝正品,假一賠十
詢價
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
詢價
FAIRCILD
22+
TO-252
8000
原裝正品支持實單
詢價
onsemi(安森美)
24+
DPAK-3
9555
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價