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FQD2N60C中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FQD2N60C
廠商型號(hào)

FQD2N60C

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

617.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 20:00:00

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FQD2N60C規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

? 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 ? (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A

? Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)

? Low Crss (Typ. 4.3 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQD2N60C

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    600V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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