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FQD2N100中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD2N100
廠商型號

FQD2N100

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

353.21 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-10 23:01:00

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FQD2N100規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current –ID= 1.6A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on): 9Ω(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·Designed for use in switch mode power supplies and general

purpose applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD2N100

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    1000V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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