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FQD17P06TM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
FQD17P06TM |
| 功能描述 | P-Channel QFET? MOSFET -60 V, -12 A, 135 m廓 |
| 文件大小 |
1.44351 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-17 16:10:00 |
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FQD17P06TM規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
特性 Features
? -12 A, -60 V, RDS(on) = 135 m? (Max.) @ VGS = -10 V, ID = -6 A
? Low Gate Charge (Typ. 21 nC)
? Low Crss (Typ. 80 pF)
? 100 Avalanche Tested
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FQD17P06TM
- 功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
DPAK |
9048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
15000 |
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO252 |
2500 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
FSC |
25+ |
12588 |
TO252 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
DPAK-3 |
15000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
DPAK-3 |
9854 |
原裝正品現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) |
