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FQB9N50CFTM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQB9N50CFTM
廠商型號(hào)

FQB9N50CFTM

功能描述

500V N-Channel MOSFET

文件大小

747.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-13 20:00:00

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FQB9N50CFTM規(guī)格書詳情

描述 Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

特性 Features

? 9A, 500V, RDS(on) = 0.85 ? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 28nC)

? Low Crss ( typical 24pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQB9N50CFTM

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-CH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VB
25+
D2-PAK
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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