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FQB5N90TM

N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 5.4 A, 2.3 廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI5N90

N-ChannelQFETMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI5N90

900VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQP5N90

900VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQPF5N90

900VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQPF5N90

IscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

HM5N90

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HMS5N90I

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HMS5N90K

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

KSM5N90

900VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數

  • 型號：

    FQB5N90TM

  • 功能描述：

    MOSFET 900V N-Channel QFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON(安森美)
24+
TO-263-3
16860
原裝正品現貨支持實單
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ON/安森美全新特價FQB5N90TM即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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原裝現貨/15年行業(yè)經驗歡迎詢價
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多FQB5N90TM供應商 更新時間2025-7-26 14:36:00

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