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MTP33N10E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP33N10E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP33N10E

TMOSPOWERFET33AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.06OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW33N10E

TMOSPOWERFET33AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.06OHM

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE-FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain-to-sourcediodewithafas

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHP33N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

PHP33N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=57mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHP33N10

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturingstableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrolcircuitsan

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

STP33N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

STP33N10

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.045? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP33N10FI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FQB33N10LTM

  • 功能描述：

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
24+
D2PAK
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
 詢價(jià)
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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Fairchild
1930+
N/A
757
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FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童
21+
TO263
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詢價(jià)
更多FQB33N10LTM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-19 16:12:00

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