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零件編號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MTP30N06E	文件：1.31369 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP30N06E	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP30N06VL	文件：208.58 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP30N06VL	文件：1.31366 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP30N06VL	文件：207.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.050OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NP30N06QDK	文件：616.87 Kbytes Page：9 Pages	60V??30A??DualN-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTB30N06	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB30N06G	文件：1.32122 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTB30N06G	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQB30N06LTM
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FQB30N06LTM	ON	23+	TO-263	980	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	FQB30N06LTM	ON 優(yōu)勢(shì)推薦	23+	TO263`	8900	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	FQB30N06LTM	Fairchild(飛兆/仙童)	2023+	N/A	4550	全新原裝正品	詢價(jià)
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深圳市達(dá)恩科技有限公司	FQB30N06LTM	ONSemiconductor	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
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