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FQA24N50中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQA24N50
廠商型號

FQA24N50

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 500 V, 24 A, 200 mΩ

絲印標識

FQA24N50

封裝外殼

TO-3PN

文件大小

1.63157 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-19 23:00:00

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FQA24N50規(guī)格書詳情

特性 Features

? 24 A, 500 V, RDS(on) = 200 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 12 A

? Low Gate Charge (Typ. 90 nC)

? Low Crss (Typ. 55 pF)

? 100% Avalanche Tested

? RoHS compliant

描述 Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply, power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQA24N50

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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