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FQA13N50C-F109

N-Channel QFET? MOSFET; ?13.5 A，500 V，RDS(on) = 480 mΩ（最大值），條件是 VGS = 10 V，ID = 6.75 A\n?低柵極電荷（典型值43 nC)\n?低 Crss（典型值20 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試除非另有說明，最大絕對額定值 TC = 25°C。\n?提高了 dv/dt 性能\n;

這些 N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的平面條形 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這一先進(jìn)技術(shù)是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，以及在雪崩擊穿和換相情況下承受高能量脈沖而開發(fā)的。這些器件非常適合高效開關(guān)電源、功率因數(shù)校正和半橋拓?fù)涞碾娮訜粽髌鳌?/p>

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)：

    500

  • VGS Max (V)：

    4

  • VGS(th) Max (V)：

    4

  • ID Max (A)：

    13.5

  • PD Max (W)：

    218

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    480

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    43

  • Ciss Typ (pF)：

    1580

  • Package Type：

    TO-3P-3L

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
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更多FQA13N50C-F109供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:18:00

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