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FPF2G120BF07AS

Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + IGBT, 650 V, 40 A; ?高效率\n?低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗\n?高速場(chǎng)截止 IGBT\n?SiC SBD 用作升壓二極管\n?內(nèi)置 NTC 可實(shí)現(xiàn)溫度監(jiān)控\n;

FPF2G120BF07AS 采用 3ch 升壓拓?fù)?，可為多支路光伏?yīng)用提供優(yōu)化解決方案。 集成的高速場(chǎng)截止 IGBT 和 SiC 二極管可降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 此外，螺旋夾提供了一種快速、可靠的安裝方式。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FPF2G120BF07AS

Marking：FPF2G120BF07AS；Package：F2；F2, 3ch Boost module with NTC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FPF2G120BF07AS

Marking：FPF2G120BF07AS；Package：F2；F2, 3ch Boost module PCM and NTC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FPF2G120BF07AS

Package：模塊；包裝：托盤托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FPF2G120BF07ASP

FPF2G120BF07ASP: F2, 3ch Boost module PCM and NTC;

FPF2G120BF07ASP\n \n\n技術(shù)文檔及設(shè)計(jì)資源\n\n\n技術(shù)文檔及設(shè)計(jì)資源\n-->\n\n\n數(shù)據(jù)表?(1) \n\n\n封裝圖紙?(1)

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FPF2G120BF07ASP

Marking：FPF2G120BF07ASP；Package：F2；F2, 3ch Boost module with NTC

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FPF2G120BF07ASP

Package：模塊；包裝：托盤托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FPF2G120BF07AS

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤托盤

  • IGBT 類型：

    場(chǎng)截止

  • 配置：

    3 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，40A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    F2

  • 描述：

    IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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更多FPF2G120BF07AS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 23:00:00

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