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FPF2C8P2NL07A數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

FPF2C8P2NL07A

參數(shù)屬性

FPF2C8P2NL07A 封裝/外殼為F2 模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

功能描述

Power Integrated Module (PIM), F2, IGBT, 650 V, 30 A
IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

封裝外殼

F2 模塊

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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FPF2C8P2NL07A規(guī)格書詳情

描述 Description

Fairchild 的新型逆變器模塊實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。 此外,壓裝技術(shù)提供簡單、可靠的安裝。 這些模塊已針對需要高效率和穩(wěn)健型設(shè)計(jì)的應(yīng)用(如太陽能逆變器和 UPS)而優(yōu)化。

特性 Features

?高效率
?低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
?場截止 IGBT,適用于內(nèi)外部開關(guān)
?STEALTHTM 二極管,適用于通道二極管
?內(nèi)置熱敏電阻,實(shí)現(xiàn)溫度監(jiān)控

簡介

FPF2C8P2NL07A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FPF2C8P2NL07A晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FPF2C8P2NL07A

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    :?Active??

  • Description

    :?Power Integrated Module

  • Configuration

    :3-channel I-Type Inverter

  • IC Max (A)

    :30

  • V(BR) Max (V)

    :650

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.55

  • VF Typ (V)

    :2.55

  • Package Type

    :HF2BA-P34 / 34LD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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