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FPF2C8P2NL07A數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

廠商型號 |
FPF2C8P2NL07A |
參數(shù)屬性 | FPF2C8P2NL07A 封裝/外殼為F2 模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 650V 30A 135W F2 |
功能描述 | Power Integrated Module (PIM), F2, IGBT, 650 V, 30 A |
封裝外殼 | F2 模塊 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 23:00:00 |
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更多FPF2C8P2NL07A規(guī)格書詳情
描述 Description
Fairchild 的新型逆變器模塊實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。 此外,壓裝技術(shù)提供簡單、可靠的安裝。 這些模塊已針對需要高效率和穩(wěn)健型設(shè)計(jì)的應(yīng)用(如太陽能逆變器和 UPS)而優(yōu)化。
特性 Features
?高效率
?低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
?場截止 IGBT,適用于內(nèi)外部開關(guān)
?STEALTHTM 二極管,適用于通道二極管
?內(nèi)置熱敏電阻,實(shí)現(xiàn)溫度監(jiān)控
簡介
FPF2C8P2NL07A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FPF2C8P2NL07A晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
:FPF2C8P2NL07A
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
:?Active??
- Description
:?Power Integrated Module
- Configuration
:3-channel I-Type Inverter
- IC Max (A)
:30
- V(BR) Max (V)
:650
- VCE(sat) Typ (V)
:1.55
- VF Typ (V)
:2.55
- Package Type
:HF2BA-P34 / 34LD
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
- |
956 |
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詢價(jià) | ||
原裝 |
20+ |
原裝 |
56200 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1950+ |
WLCSP-16 |
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ONSEMI |
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23+ |
17ROHS |
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23+ |
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