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FPF2C110BI07AS2數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

FPF2C110BI07AS2

參數(shù)屬性

FPF2C110BI07AS2 封裝/外殼為30-DIP 模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 650V 40A 300W F2

功能描述

Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + MOSFET + IGBT, 650 V
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2

封裝外殼

30-DIP 模塊

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-7 18:14:00

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FPF2C110BI07AS2規(guī)格書詳情

描述 Description

Fairchild 的升壓半橋模塊設(shè)計(jì)用于需要更緊湊型設(shè)計(jì)的功率級(jí)。 另外,壓裝技術(shù)提供簡(jiǎn)單、可靠的安裝。 該模塊已針對(duì)需要高效率和穩(wěn)健型設(shè)計(jì)的應(yīng)用諸如太陽能逆變器而優(yōu)化。

特性 Features

?升壓級(jí)- 雙通道升壓拓?fù)? 碳化硅升壓二極管- 低 RDS(ON) 升壓開關(guān)- 低 VF 和高電壓旁通二極管
?逆變器級(jí)- 半橋拓?fù)? 高速 IGBT 和快速恢復(fù) FWD
?用于升壓和逆變器的集成式直流電容器
?溫度傳感器
?壓裝接觸技術(shù)
?帶有低熱阻的 Al2O3 基板

簡(jiǎn)介

FPF2C110BI07AS2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FPF2C110BI07AS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FPF2C110BI07AS2

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    :?Active??

  • Description

    :?Power Integrated Module

  • Configuration

    :Dual MOSFET/SiC Boost with IGBT H-Bridge

  • IC Max (A)

    :19

  • V(BR) Max (V)

    :650

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • VF Typ (V)

    :2.45

  • Package Type

    :HF2EA-P30 / 30LD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ONSEMI
兩年內(nèi)
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