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FPF1C2P5MF07AM

Power Integrated Module (PIM), F1, IGBT + MOSFET, 650 V, 30 A; ?高效率\n?低導通損耗和開關(guān)損耗\n?低 VCE(sat): 1.1 V 典型值 @ Ic = 30 A\n?低 RDS(ON): 90 mΩ 最大值\n?快速恢復體二極管\n;

Fairchild 的新型 DC-AC 模塊設(shè)計用于需要更緊湊型設(shè)計的功率級。 另外,壓裝技術(shù)提供簡單、可靠的安裝。 該模塊已針對需要高效率和穩(wěn)健型設(shè)計的應(yīng)用諸如太陽能逆變器而優(yōu)化。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FPF1C2P5MF07AM

Marking:FPF1C2P5MF07AM;Package:F1;F1 Module solution for PV-Application

ONSEMION Semiconductor

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FPF1C2P5MF07AM

Package:F1 模塊;包裝:散裝 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 620V 39A 231W F1

ONSEMION Semiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FPF1C2P5MF07AM

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • 配置:

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,30A

  • 輸入:

    單相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    F1 模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    F1

  • 描述:

    IGBT MODULE 620V 39A 231W F1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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