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FP75R12N3T7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號(hào)

FP75R12N3T7

參數(shù)屬性

FP75R12N3T7 包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-731

功能描述

Preliminary datasheet EconoPIM?3 module with TRENCHSTOP?IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-731

文件大小

572.66 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-9-21 16:38:00

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FP75R12N3T7規(guī)格書詳情

FP75R12N3T7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FP75R12N3T7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

特性 Features

? Electrical features

- VCES = 1200 V

- IC nom = 75 A / ICRM = 150 A

- TRENCHSTOPTM IGBT7

- Overload operation up to 175°C

- Low VCE,sat

? Mechanical features

- High power and thermal cycling capability

- Integrated NTC temperature sensor

- Copper base plate

- Solder contact technology

- Standard housing

- Al2O3 substrate with low thermal resistance

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FP75R12N3T7B81BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 描述:

    LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-731

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
21+
AG-ECONO3-3
6820
只做原裝,質(zhì)量保證
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Infineon/英飛凌
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AG-ECONO3-3
10000
原裝正品,支持實(shí)單
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單
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Infineon/英飛凌
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AG-ECONO3-3
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我們只做原裝正品,支持檢測(cè)。
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13566
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Infineon Technologies
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Infineon
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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Infineon/英飛凌
24+
AG-ECONO3-3
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全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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