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FP35R12W2T4_B11

EasyPIM2B module PressFIT with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP35R12W2T4_B11

EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

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FP35R12W2T4_B11_13

EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP35R12W2T4PB11BPSA1

Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 70A 20MW

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FP35R12W2T4_B11

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 35A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多FP35R12W2T4_B11供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 8:12:00

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