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FP35R12W2T4數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

FP35R12W2T4

參數(shù)屬性

FP35R12W2T4 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 54A 215W

功能描述

IGBT模塊
IGBT MOD 1200V 54A 215W

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-13 23:01:00

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FP35R12W2T4規(guī)格書詳情

描述 Description

EasyPIM? 2B?1200V PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. Also available with Thermal Interface Material.

特性 Features

? Low switching losses
? Trench IGBT 4
? VCEsatwith positive temperature coefficient
? Low VCEsat
? Al2O3Substrate with low thermal resistance
? Compact design
? Solder contact technology
? Rugged mounting due to integrated mounting clamps

優(yōu)勢:
? Compact module concept
? Optimized customer’s development cycle time and cost
? Configuration flexibility

簡介

FP35R12W2T4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FP35R12W2T4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FP35R12W2T4

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :PIM

  • Technology

    :IGBT4 - T4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :35 A

  • OPN

    :FP35R12W2T4BOMA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.85 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EasyPIM? 2B

  • Dimensions length

    :56.7 mm

  • Dimensions width

    :48 mm

  • Package name

    :AG-EASY2B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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