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IRFF131

N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω

GESS

GE Solid State

IRFP131

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFS131

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFS131

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IS131

GENERALPURPOSEDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IS131

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IS131

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

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更多FP131DR-LF供應商 更新時間2025-7-22 22:58:00

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