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IRFI734G	文件：241.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=450V,Rds(on)=1.2ohm,Id=3.4A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI734G	文件：873.79 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI734GPBF	文件：873.79 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI734GPBF	文件：282.55 Kbytes Page：8 Pages	LowThermalResistance Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
KM734N	文件：110.02 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableShieldedRFCoil(I)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM734N	文件：133.9 Kbytes Page：1 Pages	10mmADJUSTABLERFCOILS(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM734N-LFR	文件：110.02 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableShieldedRFCoil(I)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KRA734E	文件：49.81 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KRA734U	文件：50.19 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
L-734	文件：19.95 Kbytes Page：1 Pages	POWERLINECHOKE	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

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