FJN4307R數據手冊分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF

廠商型號 |
FJN4307R |
參數屬性 | FJN4307R 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-8-27 11:29:00 |
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FJN4307R規(guī)格書詳情
簡介
FJN4307R屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由制造生產的FJN4307R晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。
技術參數
更多- 產品編號:
FJN4307RTA
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
68 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
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onsemi(安森美) |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-92 |
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FSC |
24+ |
TO-92 |
1890 |
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Fairchild |
23+ |
33500 |
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ONSEMI |
兩年內 |
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