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IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFB4310ZPBF	文件：319.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.20廓,ID=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
FJA4310
功能描述：
兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FJA4310	FAIRCHILD	24+	TO-3P	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FJA4310	FAIRCHILD	23+	TO-3P	13977	全新原裝	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	FJA4310	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-3PN	6000	十年配單,只做原裝	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FJA4310	FAIRC	23+	TO-3P	7300	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
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深圳市柯爾基電子有限公司	FJA4310	仙童	23+24	TO-247	59630	主營原裝MOS,二三級管,肖特基,功率場效應(yīng)管	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	FJA4310	FAIRCHILD	25+	TO-3P	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	FJA4310RTU	FAIRCHILD	24+	TO-3P	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價

更多FJA4310供應(yīng)商更新時間2025-7-24 10:50:00

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