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FIR4N60BPG(D版)

功率MOS

First

福斯特

FMF4N60

4A 600V N CHANNEL ISOLATED POWER MOSFET

文件：783.1 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FCI

富加宜

FQB4N60

600V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

文件：539.35 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQI4N60

600V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

文件：539.35 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FI-RE51S-HF-R1500

JAE
SMD

JAEJapan Aviation Electronics Industry, Ltd.

航空電子日本航空電子工業(yè)株式會社

上傳：深圳市羿芯誠電子有限公司

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更多FIR4N60BPG(D版)供應(yīng)商 更新時間2025-8-24 14:02:00

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