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FIR20N50FG(M)

功率MOS/高壓功率MOS

First

福斯特

FMC20N50E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：439.63 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

Fuji

富士通

FMC20N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.31Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件：332.85 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

FMC20N50ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：560.37 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

Fuji

富士通

FI-RE51S-HF-R1500

JAE
SMD

JAEJapan Aviation Electronics Industry, Ltd.

航空電子日本航空電子工業(yè)株式會社

上傳：深圳市羿芯誠電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • ID [A]：

    20

  • VGS [±V]：

    ±30

  • VGS(th) [V]：

    2~4

  • RDS(on) [MΩ]：

    0.27

  • Package：

    TO-220F

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FIR20N50FG(M)供應(yīng)商 更新時間2025-8-19 14:02:00

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