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FIR12N65FG數(shù)據(jù)手冊First中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

FIR12N65FG

功能描述

MOS(場效應(yīng)管)

制造商

First First Silicon Co., Ltd

中文名稱

福斯特

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-19 20:00:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :FIR12N65FG

  • 生產(chǎn)廠家

    :First

  • 漏源電壓(Vdss)

    :650V

  • 柵源極閾值電壓(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源導(dǎo)通電阻(最大值)

    :800 mΩ @ 6A,10V

  • 類型

    :N 溝道

  • 功率耗散(最大值)

    :51W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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