FID35-06C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FID35-06C |
| 參數(shù)屬性 | FID35-06C 封裝/外殼為i4-Pac?-5；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 38A 125W I4PAC5 |
| 功能描述 | Fast IGBT Chopper in ISOPLUS i4-PACTM |
| 封裝外殼 | i4-Pac?-5 |
| 文件大小 |
48.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-29 11:30:00 |
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FID35-06C規(guī)格書詳情
FID35-06C屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的FID35-06C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FID35-06C
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，25A
- 開關(guān)能量：
1.1mJ（開），600μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 測試條件：
300V，25A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
i4-Pac?-5
- 供應商器件封裝：
ISOPLUS i4-PAC?
- 描述：
IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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