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FHD2N60E數(shù)據(jù)手冊(cè)E-CMOS中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

FHD2N60E

功能描述

場效應(yīng)管(MOSFET)

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名稱

飛虹高科 飛虹高科股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-3 10:07:00

人工找貨

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :FHD2N60E

  • 生產(chǎn)廠家

    :E-CMOS

  • 漏源電壓(Vdss)

    :600V

  • 連續(xù)漏極電流(Id)

    :2A

  • 功率(Pd)

    :35W

  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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