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FH102A-TR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FH102A-TR-E |
參數(shù)屬性 | FH102A-TR-E 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP |
功能描述 | RF Transistor |
封裝外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
510.26 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-24 21:57:00 |
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FH102A-TR-E規(guī)格書詳情
FH102A-TR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FH102A-TR-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
特性 Features
? Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly
? The FH102A is formed with two chips, being equivalent to the 2SC5226A, placed in one package
? Optimal for differential amplification due to excellent thermal equilibrium and pair capability
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FH102A-TR-E
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
2 NPN(雙)
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
10V
- 頻率 - 躍遷:
7GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1dB @ 1GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
500mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
90 @ 20mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
70mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝:
6-MCP
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
F-ENGINE |
24+ |
QFP |
7850 |
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120000 |
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