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FH102A-TR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

FH102A-TR-E
廠商型號

FH102A-TR-E

參數(shù)屬性

FH102A-TR-E 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

功能描述

RF Transistor
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

封裝外殼

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

510.26 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 21:57:00

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FH102A-TR-E規(guī)格書詳情

FH102A-TR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FH102A-TR-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

特性 Features

? Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly

? The FH102A is formed with two chips, being equivalent to the 2SC5226A, placed in one package

? Optimal for differential amplification due to excellent thermal equilibrium and pair capability

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FH102A-TR-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 20mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-MCP

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
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