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FGY160T65SPD_F085數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

FGY160T65SPD_F085

參數(shù)屬性

FGY160T65SPD_F085 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:650V FS GEN3 TRENCH IGBT

功能描述

650V,160A Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode
650V FS GEN3 TRENCH IGBT

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-10 23:01:00

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FGY160T65SPD_F085規(guī)格書詳情

簡介

FGY160T65SPD_F085屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGY160T65SPD_F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGY160T65SPD-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,160A

  • 開關能量:

    12.4mJ(開),5.7mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    53ns/98ns

  • 測試條件:

    400V,160A,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS GEN3 TRENCH IGBT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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